膜厚の異なるAl2O3膜が300度の原子層化学蒸着法，1000度を超えるアルゴンアニールによって4H-SiCのエピタキシャル基板上に成膜した．そのAl2O3/4H-SiCの構造をXPS，SIMS，TEMにより解析を行った．XPSとSIMSの解析結果からアニールによる大きな構造変化は広いエリアにて見られなかった．しかし，TEMによる解析ではアニールなしの界面は2つあり，SiOx層(x<2)が存在していることがわかった．その後アニールを加えることにより，界面の粗さ情報，Al2O3膜中のSi原子の密度の高さから，そのSiOx膜は分解され，SiO2膜に移ったことがわかった．また，Hの明らかな蓄積は界面には見られず，これはアニール処理を行ったAl2O3/4H-SiC構造の浅い電子状態の低密度を担うキーである可能性がある．